發(fā)布時(shí)間:2013-08-12 08:38:50點(diǎn)擊數(shù):1679次
壓電效應(yīng)是壓電材料在應(yīng)力作用下產(chǎn)生形變時(shí)出現(xiàn)的一種內(nèi)部電勢(shì)的現(xiàn)象,廣泛應(yīng)用于微機(jī)械傳感、器件驅(qū)動(dòng)和能源領(lǐng)域。對(duì)于氧化鋅、氮化鎵等半導(dǎo)體材料,由于同時(shí)具有壓電性和半導(dǎo)體性,壓電效應(yīng)可以改變金屬-半導(dǎo)體的界面勢(shì)壘和p-n結(jié)的輸運(yùn)性質(zhì),這就是壓電電子學(xué)。如果器件在源極或漏極中有一端或兩端是肖特基接觸的,當(dāng)激光照射在源極或漏極時(shí),由于壓電效應(yīng)、光激發(fā)和半導(dǎo)體特性的三相耦合,可以產(chǎn)生一種新的效應(yīng),即壓電光電子學(xué)效應(yīng)。壓電光電子學(xué)可以利用壓電電場(chǎng)來(lái)調(diào)控載流子的產(chǎn)生、傳輸、分離和復(fù)合,在發(fā)光二極管、光探測(cè)和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用。該效應(yīng)是佐治亞理工學(xué)院王中林教授小組2009年首次發(fā)現(xiàn)的.
納米線太電池在自驅(qū)動(dòng)納米系統(tǒng)和柔性電子學(xué)上有很大的應(yīng)用前景。對(duì)于CdS、ZnO、CdTe等壓電半導(dǎo)體材料太陽(yáng)能電池,其因材料生長(zhǎng),器件制備及應(yīng)用中引入的應(yīng)力,會(huì)對(duì)電池性能產(chǎn)生很大的影響。佐治亞理工學(xué)院王中林院士和他的博士后潘曹峰在《納米快報(bào)》(NanoLetters)上報(bào)道了一種基于單根單晶外延Cu2S/CdS芯-殼結(jié)構(gòu)納米線的太陽(yáng)能電池,并且研究了壓電光電子學(xué)效應(yīng)對(duì)該太陽(yáng)能電池性能的調(diào)制。當(dāng)該納米線太陽(yáng)能電池受到應(yīng)力時(shí),納米光電子學(xué)效應(yīng)能有效提高光生電子-空穴對(duì)的分離和傳輸,電池的性能可提高多達(dá)70%。壓電光電子學(xué)效應(yīng)提供了一種新的提高太陽(yáng)能電池,尤其是柔性太陽(yáng)能電池性能的思路和方法,在自驅(qū)動(dòng)、環(huán)境監(jiān)測(cè),甚至國(guó)防科技方面都將有很大的應(yīng)用前景。
微米是長(zhǎng)度單位,符號(hào) [micron],讀作[mi
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減反射膜又稱增透膜、AR膜、AR片、減反射膜、AR
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